| 型号： | FDMC2610 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8 |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| FDMC2610 PDF |  |
| 产品变化通告 | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图 | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | UniFET™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 200 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 960pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 2.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装 | 8-Power33（3x3） |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | FDMC2610DKR |